GaN on-SiC高功率晶体管——IGN1011L1200

2018-08-31

     
       Integra最新发布了一个GaN on-SiC高功率晶体管——IGN1011L1200。该晶体管工作频率为1.03~1.09GHz,峰值脉冲功率最小为1200 W,电源电压50V,占空比6.4%。
       IGN1011L1200具有典型的大于17 dB增益和75%的效率,是第二代器件。这种L波段航空电子晶体管指定用于AB类操作,需要负栅电压和偏置排序。
       IGN1011L1200是经过固定调谐射频测试夹具中100%高功率射频测试的。
 
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