Qorvo特色产品现已上市

2019-05-06

用于5G基站的前端模块

 

Qorvo的QPF4001是一款多功能氮化镓MMIC前端模块,适用于28 GHz相控阵5G基站和具有高达1瓦发射功率的终端。 该器件采用Qorvo的0.15μm GaN on SiC工艺制造,包含了低噪声、高线性度LNA,低插入损耗、高隔离度TR开关和高增益、高效率多级PA。

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针对TDD MIMO架构的双通道LNA

 

QPB9337开关LNA模块是针对TDD MIMO基站的高度集成的前端模块,在双通道配置中集成了两级LNA和高功率开关。 第二级LNA集成了旁路模式。 LNA的掉电和旁路功能控制引脚设计在了模块中。

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超低噪声旁路LNA

 

QPL9098是一款高线性、超低噪声增益模块放大器,集成了旁路功能。 在5.5GHz时,放大器通常提供19dB增益、+32dBm OIP3和1.3dB噪声系数,使用+4.2V电源提供的68mA电流。 适用于4.5G和5G大规模MIMO基站或小蜂窝基站。

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39GHz双通道GaN前端模块

 

Qorvo的QPF4005针对39GHz、相控阵、5G基站和终端的双通道、多功能氮化镓MMIC FEM,频率范围为37-40.5GHz。 对于每个通道,多功能MMIC芯片都包含低噪声放大器,低插入损耗、高隔离度TR开关和高增益、高效率多级PA。

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40GHz相控阵模块

 

Qorvo QPF4006 GaN MMIC前端模块适用于40GHz相控阵、5G基站和终端。 它包含了高线性度LNA,低损耗、高隔离度TR开关和37-40.5GHz高增益PA。 Rx增益为18dB。 Tx增益为23dB,输出功率为2瓦。 采用铜质散热片的紧凑型封装使该模块可在极端温度下密集安装。

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为设备供应商准备的28dB CATV功率倍增放大器

 

QPA3357是一款混合GaAs pHEMT/MESFET、75欧姆的功率倍增放大器,采用标准SOT-115J封装。 该芯片具有超过28dB的平坦增益和低噪声,使用单个24V电源,支持47-1218MHz的DOCSIS 3.1应用。 QPA3357在高效率下提供低噪声和低失真,仅有10.5W的直流功耗。

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