Qorvo推出全新 X band 射频前端组件

2019-07-12

Qorvo近日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM) —— QPM2637 和 QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓 (GaN) 产品也符合任务关键型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

预计到 2022 年,适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元,未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项,因此预计未来五年,国防应用的 RF GaN 器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到 24%。

 

Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。

GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到100mW 的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率,且不会造成永久损坏。

 

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