高速GaN FET驱动器前景光明
“随着GaN逐步证明其在固态LiDAR等应用中的作用，设计工程师正利用pSemi的高速驱动器来最大化GaN的快速开关优势，”
pSemi首席技术官Jim Cable说，“凭借PE29101的上升和下降速度，可帮助LiDAR系统实现其可能达到的最高成像分辨率，
而这正是产业所需要的，以发挥LiDAR系统最完整的潜在性能。”
LiDAR的运行原理与毫米波雷达类似，只是以脉冲激光来精确测绘周围的环境，常常用于高分辨率测绘。LiDAR现在开始
应用于汽车ADAS（先进驾驶辅助系统）系统，并被广泛认为是全自动驾驶汽车的必要使能技术。此外，固态LiDAR则凭借其
经济性、可靠性和相比机械LiDAR更紧凑的尺寸，已经作为未来商业化LiDAR系统的领导者而逐渐兴起。
pSemi推出高速GaN FET驱动器 大幅提高固态LiDAR分辨率,在LiDAR系统中，脉冲激光器的开关速度和上升时间直接
影响着LiDAR的测量精度。为了提高分辨率，电流需要尽可能快地切换通过激光器二极管。GaN技术凭借其极低的输入
电容，及其相比MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）显著更快的开关速度，为LiDAR系统提供了更高的分辨率和
更快的响应时间。GaN FET必须由非常快的驱动器来控制，以最大化它们的快速开关潜力。更高的开关速度要求驱动器
具有快速的上升时间和更低的最小输出脉冲宽度。PE29101具备这些关键的性能参数，能够帮助GaN技术提高LiDAR分辨率。
PE29101是一款控制GaN晶体管栅极的半桥FET驱动器。这款驱动器输出能够在高达40 MHz的开关应用中提供亚纳秒范围内
的切换转换速度。PE29101的上升／下降时间为1 ns，100 pF load，最小输出脉冲宽度2 ns。其工作电压范围为4 V ～ 6．5 V，
可支持80 V的高侧浮动电源电压。PE29101的输出拉电流（source current）为2A，输出灌电流（sink current）为4A。